记者 李华清 4月28日，证监会官网披露了芯天下技术股份有限公司（以下简称“芯天下”）申报稿版本的招股书，芯天下拟在深交所创业板IPO。

芯天下是深圳的一家年轻公司，成立于2014年，至今只有8年历史，但其获得了深创投、红杉资本等知名机构的投资，2021年时被工信部认定为专精特新“小巨人”企业。

芯天下主要从事代码型闪存芯片的研发、设计和销售，现有主要产品包括NOR Flash和SLC NAND Flash，应用于消费电子、网络通讯、物联网、工业与医疗等领域。据其招股书介绍，公司产品已经获得英特尔、联发科等多家主控厂商的认证，已经进入三星、美的、科沃斯、中兴通讯、四川长虹等多家知名品牌厂商的供应链体系。

在深圳，并不缺芯片设计类企业，深圳曾多年位列全国集成电路设计销售额城市榜首。那么，芯天下的含金量如何？它所从事的存储芯片行业，又是怎样的状态呢？

存储芯片江湖

大众所熟知的芯片，根据功能的不同，大致可以分为三大类型：数字芯片、模拟芯片和存储芯片，前两者的功能都侧重于运算和处理信息，而存储芯片，顾名思义，功能以存储信息为主。

据全球半导体贸易统计组织(WSTS)的统计数据，2021年全球集成电路行业市场规模为4630 亿美元，其中存储芯片的市场规模为1538亿美元，占比约为33.22%。

而存储芯片，根据断电后是否保留已存储信息，可分为易失性存储芯片(断电后不保留信息)和非易失性存储芯片(断电后保留信息)。易失性存储芯片在工作时需保持通电状态，通常临时存储信息。非易失性存储芯片在断电的情况下可以持续保存信息，用于存储无需频繁修改的信息。

而在非易失性存储芯片领域，闪存芯片Flash占据主流地位，根据存储技术的不同，Flash又可以分为NOR Flash（存储单位并联型闪存芯片）和NAND Flash（存储单位串联型闪存芯片），NAND Flash的存储单元尺寸比较小，在存储成本方面比较有优势，NOR Flash读取速度比较快，在稳定性和可靠性方面比较有优势。

在Flash领域，根据存储信息的不同，也可分为代码型闪存芯片和数据型闪存芯片。代码型闪存芯片主要用于存储操作系统和系统启动、运行过程中的代码信息，对芯片的稳定性、可靠性要求较高，而数据型闪存芯片主要用于存储系统运行过程中涉及的大容量数据信息，对芯片的容量和成本要求较高。

芯天下主要做的是代码型闪存芯片，主要产品包括NOR Flash和SLC NAND Flash（SLC指每个存储单元存储的数据量为1 bit，如果数据量分别为2 bit、3 bit、4 bit，则分别叫MLC、TLC和QLC）。

回溯历史，闪存技术由日本在上世纪80年代发明面世，此后催生了美国的美光、赛普拉斯，日本的东芝以及韩国的三星、海力士等存储芯片巨头企业，但随着中国台湾以及中国大陆厂商的崛起，海外的存储芯片巨头已逐步退出或减少代码型闪存芯片的产能，专注发展数据型闪存芯片。

在代码型闪存芯片领域，中国台湾的华邦、旺宏等企业占据了主要的市场份额，中国大陆的兆易创新、东芯股份、普冉股份、芯天下等企业逐渐崛起。

据CINNO Research的数据，在NOR Flash市场，全球前五大企业占据了约80%的市场份额，老大是华邦（2020年的全球市场份额为25%），老二是旺宏（23%），老三是兆易创新（16%），老四是赛普拉斯（11%），老五是美光（4%）。

芯天下其“人”

中国大陆的存储芯片行业方兴未艾，对比中国台湾的业内巨头，中国大陆叫得上名号的代码型闪存芯片设计企业还是资本市场的“新人”。

台湾的华邦成立于1987年，1995年在台湾证券交易所上市；台湾的旺宏成立于1989年，也是1995年在台湾证券交易所上市。而兆易创新成立于2005 年，2016年上市；东芯股份成立于2014 年，2021年上市；普冉股份成立于2016年，也是2021年上市。

正在谋求创业板上市的芯天下成立于2014年，据其招股书的介绍，其近年的营收和主营业务毛利率有相当明显的改善。芯天下招股书财务数据显示，2019年至2020年期间，芯天下实现的营收分别为2.48亿元、3.34亿元、7.90亿元，主营业务毛利率分别为19.03%、25.37%和45.31%。

让人疑惑的是，在主营业务不变的情况下，为何芯天下主营业务毛利率在三年内出现翻倍式的增长？芯天下在招股书中解释称，产品毛利率的增长，主要是由于公司产品结构和客户结构不断优化，且下游市场需求旺盛带动了产品价格的上涨。

芯天下的营收主要由代码型闪存芯片贡献，近三年来，来自代码型闪存芯片的营收比例占比不低于96%左右。在2021年以前，芯天下卖得最多的是NOR芯片，营收占比在五成左右，2021年，卖得最多的变为SLC NAND芯片，营收占比为52.55%。

芯天下介绍，本次IPO拟募资4.97亿元，其中1.68亿元用于NOR Flash产品的研发升级及产业化，1.40亿元用于NAND Flash产品的研发升级及产业化，8944.4万元用于存储研发中心建设，剩下的1亿元用于补充流动资金。